Showing 1 - 1 of 1
Нами изготовлен фототранзистор с барьером Шоттки на основе контакта Pt2 Si/PtSi – Si, индуцированного, и р – канальный встроенного типаКанал был сформирован...
Persistent link: https://www.econbiz.de/10010933257